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AOP605	文件：188.26 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOP605/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. AOP605 and AOP605L are electrically identical. -RoHS Compliant -AOP605L is H 文件：188.26 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOP605	文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：107.69 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOP605	文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：584.62 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOP605	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Complementary AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美國萬代	AOS
AOP605L	文件：188.26 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOP605/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. AOP605 and AOP605L are electrically identical. -RoHS Compliant -AOP605L is H 文件：188.26 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOP605_06	文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：107.69 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOP605_09	文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：584.62 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOP605L	文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：107.69 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD

詳細參數(shù)

型號：
AOP605
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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