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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AON5802	文件：3.28545 Mbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON5802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi 文件：3.28545 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AON5802	文件：300 bytes Page：1 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美國萬代	AOS
AON5802A	文件：126.39 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON5802 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi 文件：126.39 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AON5802B	文件：435.26 Kbytes Page：5 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON5802B/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by 文件：435.26 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AON5802_07	文件：126.39 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：126.39 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AON5802B	文件：300 bytes Page：1 Pages	低壓共漏電池 MOSFET Alpha and Omega Semiconductor采用先進的300mm和200mm工藝技術(shù)用于鋰電池的保護。這些“共漏”MOSFET具有低Rdson，可快速充電及延長電池壽命。同時， Alpha and Omega Semiconductor擁有先進的CPS技術(shù)，擁有該技術(shù)的RigidCSP?系列產(chǎn)品，可以減少其在焊接過程中的翹曲，提高了產(chǎn)品在應(yīng)用中的可靠性。	AOS 美國萬代	AOS
AON5802BG	文件：300 bytes Page：1 Pages	低壓MOSFET (12V - 30V) Alpha and Omega Semiconductor采用先進的300mm和200mm工藝技術(shù)制造出性能領(lǐng)先的低壓MOSFET。這些產(chǎn)品為DCDC、負載開關(guān)、BLDC及電源等應(yīng)用量身定做。	AOS 美國萬代	AOS
AON5802ALS	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WFDFN 裸露焊盤；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列描述：MOSFET N-CH DUAL DFN	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
AON5802B_101	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WFDFN 裸露焊盤；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列描述：MOSFET N-CH DUAL DFN	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

技術(shù)參數(shù)

Package：
DFN2x5-6L
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VDS (V)：
30
4.5V：
17
2.5V：
23
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
10.50
VGS(th) max (V)：
1.50
Ciss (pF)：
1050
Coss (pF)：
90
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
4
Trr (ns)：
8
Qrr (nC)：
10
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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