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首頁(yè) >AON5802B>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AON5802B	文件：435.26 Kbytes Page：5 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON5802B/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by 文件：435.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	AOSMD 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AON5802B	文件：300 bytes Page：1 Pages	低壓共漏電池 MOSFET Alpha and Omega Semiconductor采用先進(jìn)的300mm和200mm工藝技術(shù)用于鋰電池的保護(hù)。這些“共漏”MOSFET具有低Rdson，可快速充電及延長(zhǎng)電池壽命。同時(shí)， Alpha and Omega Semiconductor擁有先進(jìn)的CPS技術(shù)，擁有該技術(shù)的RigidCSP?系列產(chǎn)品，可以減少其在焊接過(guò)程中的翹曲，提高了產(chǎn)品在應(yīng)用中的可靠性。	AOS 美國(guó)萬(wàn)代	AOS
AON5802BG	文件：300 bytes Page：1 Pages	低壓MOSFET (12V - 30V) Alpha and Omega Semiconductor采用先進(jìn)的300mm和200mm工藝技術(shù)制造出性能領(lǐng)先的低壓MOSFET。這些產(chǎn)品為DCDC、負(fù)載開關(guān)、BLDC及電源等應(yīng)用量身定做。	AOS 美國(guó)萬(wàn)代	AOS
AON5802B_101	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WFDFN 裸露焊盤；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列描述：MOSFET N-CH DUAL DFN	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

技術(shù)參數(shù)

Package：
DFN2x5-6L
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VDS (V)：
30
4.5V：
17
2.5V：
23
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
10.50
VGS(th) max (V)：
1.50
Ciss (pF)：
1050
Coss (pF)：
90
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
4
Trr (ns)：
8
Qrr (nC)：
10
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多AON5802B供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:03:00

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