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|---|---|---|---|---|
AOD442 | 絲?。?strong>AOD442；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET General Features VDS 60V ID (at VGS=10V) 37A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：454.72 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | UMW 友臺半導(dǎo)體 | UMW | |
AOD442 | 絲?。?strong>AOD442；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET General Features VDS 60V ID (at VGS=10V) 37A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：454.72 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | UMW 友臺半導(dǎo)體 | UMW | |
AOD442 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ? FEATURES ? Drain Current –ID= 37A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum L 文件：293.46 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor ? DESCRITION ? Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ? FEATURES ? Drain Current –ID= 40A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 18mΩ (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum L 文件：293.82 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
AOD442 | N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 175 °C Junction Temperature 文件：896.87 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | |
AOD442 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=60V,ID=50A,RDS(ON) 文件：1.01357 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
AOD442 | 60V N-Channel MOSFET General Description The AOD442 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AOD442L (Green Product) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) = 60V ID = 38A 文件：252.6 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | AOSMD 萬國半導(dǎo)體 | AOSMD | |
AOD442 | 60V N-Channel MOSFET General Description The AOD442 used advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. Those devices are suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS 60V ID (at VGS=10V) 37A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：573.86 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | EVVOSEMI 翊歐 | EVVOSEMI | |
AOD442 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：338.63 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：338.63 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
AOD442
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS美國萬代 |
24+ |
TO-252 |
888000 |
AOS代理商 優(yōu)勢供應(yīng)美國萬代AOS全系列 |
詢價 | ||
AOS |
23+ |
0 |
原裝正品 |
詢價 | |||
AOS/萬代 |
25+ |
TO-252 |
32204 |
AOS/萬代全新特價AOD442即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
AOS萬代 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||||
UMW 友臺 |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系 |
詢價 | ||
AOS/萬代 |
2023+ |
TO-252-3 |
15000 |
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站 |
詢價 | ||
AOS/萬代 |
2021+ |
TO252 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
詢價 | ||
萬代 |
17+ |
TO-252 |
3438 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||
AOS |
24+ |
TO252 |
15000 |
只做原裝 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
AOS/萬代 |
23+/24+ |
TO252 |
9865 |
原盒原標(biāo) 正品現(xiàn)貨 價格美麗 終端BOM表可配單 |
詢價 |
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