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2SK901	文件：131.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features ● High speed switching ● Low on-resistance ● No secondary breakdown ● Low driving power Applications ● UPS ● DC-DC converters ● General purpose power amplifier 文件：131.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK901	文件：329.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：329.92 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK901	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET	FUJI 富士通	FUJI
2SK941	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	TOS 上傳：標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司	TOS
2SK941	文件：0 bytes Page：0 Pages	to-92	tos 上傳：深圳市鴻昌盛電子科技有限公司	tos

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更多2SK901供應(yīng)商更新時間2026-1-21 19:10:00