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2SK2933	文件：51.56 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.040? typ. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching 文件：51.56 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
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更多2SK2933供應商更新時間2026-1-22 16:30:00