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2SK2554-E	文件：89.83 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? RDS(on)= 4.5 m?typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching 文件：89.83 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
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2SK2554	文件：51.58 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? RDS(on)= 4.5 m?typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching 文件：51.58 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SK2555	三洋	2023+	STO-252	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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