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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SK2125	文件：46.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon N-Channel Power F-MOS FET ■ Features ● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 15.6mJ ● VGSS = ±30V guaranteed ● High-speed switching: tf = 35ns ● No secondary breakdown ■ Applications ● Contactless relay ● Diving circuit for a solenoid ● Driving circuit for a motor ● Control equipment ● 文件：46.81 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SK2125	文件：318.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 2.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.23 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK2125	文件：322.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：322.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SK2125	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel Power F-MOS FET	Panasonic 松下	Panasonic

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更多2SK2125供應商更新時間2026-1-22 16:30:00