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2SJ505	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.017? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ505	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ505	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ?? Low on-resistance RDS(on)= 0.017? typ.\n?? Low drive current.\n?? 4V gate drive devices.\n?? High speed switching.;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ505L	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.017? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ505L	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ505L	文件：288.49 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -50A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：288.49 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SJ505L-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ505S	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ505S	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.017? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ505STL-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.017 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

技術(shù)參數(shù)

封裝類(lèi)型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道數(shù)：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
36
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
22
Ciss (pF) 典型值：
4100
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
應(yīng)用：
Industrial
安裝類(lèi)型：
Through Hole

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市粵科源興科技有限公司	2SJ505	VISHAY	13+	TO-92-2	25858	原裝分銷(xiāo)	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SJ505	RENESAS	23+	TO-263	8000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SJ505	HIT	24+	TO-251	20000		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	2SJ505	HITACHI	24+	TO-263	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	2SJ505	VISHAY	18+	TO-92	85600	保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	2SJ505	HAT	25+	TO-263	1000	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SJ505	HITACHI	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SJ505	HAT	2022+	TO-263	1000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SJ505	HAT	18+	TO-263	1000	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SJ505	HAT	20+	TO-263	32500	現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝	詢價(jià)

更多2SJ505供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-23 9:01:00

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