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首頁 >2SD258>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD258	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistor 文件：43.46 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2SD2580	文件：43.94 Kbytes Page：4 Pages	Color TV Horizontal Deflection Output Applications Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features · High speed. · High breakdown voltage (VCBO=1500V). · High reliability (Adoption of HVP process). · Adoption of MBIT process. · On-chip damper diode. 文件：43.94 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2580	文件：164.11 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·High speed ·High breakdown voltage ·High reliability ·Built-in damper diode APPLICATIONS ·Color TV horizontal deflection output 文件：164.11 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD2580	文件：170.09 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·High speed ·High breakdown voltage ·High reliability ·Built-in damper diode APPLICATIONS ·Color TV horizontal deflection output 文件：170.09 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2581	文件：149.87 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) ? High Switching Speed ? High Reliability APPLICATIONS ? Color TV horizontal deflection output applications 文件：149.87 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD2581	文件：43.72 Kbytes Page：4 Pages	Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features · High speed. · High breakdown voltage (VCBO=1500V). · High reliability (Adoption of HVP process). · Adoption of MBIT process. 文件：43.72 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2582	文件：46.53 Kbytes Page：8 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS FEATURES ? Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V Max (@lC/lB = 0.5 A/25 mA) ? High DC Current Gain hFE = 150 to 600 (@VCE = 2.0 V, lC = 0.5 A) 文件：46.53 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SD2582	文件：204.42 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS FEATURES · Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V Max (@lC/lB = 0.5 A/25 mA) · High DC Current Gain hFE = 150 to 600 (@VCE = 2.0 V, lC = 0.5 A) 文件：204.42 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD2583	文件：204.4 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NOPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS FEATURES · Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V Max (@lC/lB = 1.0 A/50 mA) · High DC Current Gain hEF = 150 to 600 (@VCE = 2.0 V, lC = 1.0 A) 文件：204.4 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD2583	文件：56.81 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? High Collector Current-IC= 5A ? Low Saturation Voltage - : VCE(sat)= 0.15V(Max)@ IC=1A, IB= 50mA ? High DC Current Gain- : hFE= 150~600@ IC= 1A APPLICATIONS ? Designed for audio frequency amplifier and switching applications. 文件：56.81 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

晶體管資料

型號：
2SD258
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
110V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
BD241C,BD243C,BD539D,BD581,BD591,BD955,BDY79,3DK205C,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
E-8
vtest：
110
htest：
999900
atest：
4
wtest：
25

技術(shù)參數(shù)

Production Status：
EOL

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD258	NEC	24+	TO-66	1633		詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SD258		23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SD2586(TEM)	TOSHIBA	24+/25+		400	原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	2SD2586	S.K	16+	TO-3P	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SD2583		24+	TO-126	1602	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SD2583TO-126	長電	25+	TO-126	8400	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	2SD2589		24+	TO-220	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	2SD2583	NEC	25+	TO-126	2987	只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	2SD2580-YB	SANYO	新		14000	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	2SD2580-YB	SANYO	23+	TO-3P	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)

更多2SD258供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:30:00

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