| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Designed for low frequency poweramplifier applications 文件：246.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ? Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ? High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS ? Designed for low frequency power amplifier applications 文件：244.83 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain: hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Designed for low frequency poweramplifier applications 文件：243.85 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ? High DC current gain. ? High emitter-base voltage. ? Low VCE (sat). 文件：919.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | ||
TRANSISTOR (NPN) FEATURES ? High DC current gain. ? High emitter-base voltage. ? Low VCE (sat). 文件：889.59 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體 | HTSEMI | ||
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High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：96.46 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：112.63 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Power Transistor Features High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 文件：36.38 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
150V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SD1591,2SD1830,2SD2105,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
β=6000
- 圖片代號：
B-38
- vtest：
150
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
30
技術(shù)參數(shù)
- NPN/PNP：
NPN
- Vcbo (V)：
150
- VCEO (V)：
100
- Vebo (V)：
8
- Automotive：
YES
- IC (A) @25 °C：
10
- VCE(sat) (V) max.：
1.5
- hFE min.：
1000
- hFE max.：
30000
- Pc (W)：
30
- Package Type：
MP-45F
- Production Status：
EOL
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
NA |
NA |
7788 |
原裝現(xiàn)貨/一站式配單配套 |
詢價 | ||
NEC |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
PANASONIC |
24+ |
60000 |
詢價 | ||||
NEC |
24+ |
4326 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存! |
詢價 | |||
NEC |
24+ |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | |||
NEC |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
KEC |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
25+ |
TO-220F |
8880 |
原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世！ |
詢價 |
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