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首頁 >2SD2114>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD2114	文件：889.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ? High DC current gain. ? High emitter-base voltage. ? Low VCE (sat). 文件：889.59 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HTSEMI 金譽半導體	HTSEMI
2SD2114	文件：919.47 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ? High DC current gain. ? High emitter-base voltage. ? Low VCE (sat). 文件：919.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SD2114	文件：415.52 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bbv/marking.html">BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE ? High DC Current Gain. ? High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) 文件：415.52 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2114	文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bbv/marking.html">BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：256.7 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2114	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 銀河微電	Galaxy
2SD2114	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶體管	JSCJ 長晶科技	JSCJ
2SD2114K	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：112.63 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2114K	文件：36.38 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat). 文件：36.38 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2114K	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2114K	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：96.46 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ROHM 羅姆	ROHM

晶體管資料

型號：
2SD2114K
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
β>560
圖片代號：
H-15
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
20
IC(A)：
0.5
hFEmin.：
300
hFEmax.：
2700
VCE (sat)(V)：
0.4
IB(mA)：
20
fT(MHz)min.：
350
PD(W)max.：
0.2
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
雙極型晶體管

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科翼源電子有限公司	2SD2114	CJ	23+	SOT23	8500	原廠原裝正品	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SD2114	CJ	2450+	SOT23	9850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市一線半導體有限公司	2SD2114	ROHM	24+	SOT-23	99200	新進庫存/原裝	詢價
上海鑫科潤電子科技有限公司	2SD2114	ROHM	10+	SOT-23	2100	原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	2SD2114	ROHM	25+23+	Sot-23	30299	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	2SD2114	國產(chǎn)	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
洪芯國際半導體（深圳）有限公司	2SD2114	長電	26+	SOT-23	86720	全新原裝正品價格最實惠假一賠百	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SD2114	CJ	1224+	SOT23	6000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市誠利順電子科技有限公司	2SD2114	CJ	22+	SOT23	30000	十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！	詢價
深圳龐田科技有限公司	2SD2114	ROHM	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	SOT-23	18000	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價

更多2SD2114供應(yīng)商更新時間2026-1-17 10:28:00

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