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首頁 >2SD11>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1119	文件：755.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Low VCE(sat),High performance at low supply voltage. Applications AF Power amplifier. 文件：755.65 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍箭電子	FOSHAN
2SD1119	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ? Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：164.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SD1126	文件：33.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：33.42 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1126	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：147.86 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1126	文件：249.52 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ? High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A ? Low Saturation Voltage APPLICATIONS ? Designed for power switching applications. 文件：249.52 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD1126K	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：147.86 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1126K	文件：33.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：33.42 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1127	文件：244.39 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 10A ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for power switching applications. 文件：244.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD1127	文件：282.84 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：282.84 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1128	文件：81.35 Kbytes Page：2 Pages	High speed switching transistor [COLLMER SEMICONDUCTOR] High speed switching transistor 文件：81.35 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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晶體管資料

型號：
2SD1113
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
INT.Z_DIODE
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
300V
最大電流允許值：
6A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SD971,2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1089,2SD1162,2SD1307,
最大耗散功率：
40W
放大倍數(shù)：
β>500
圖片代號：
B-10
vtest：
300
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

技術參數(shù)

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	2SD1113		24+	TO-220	10000	全新	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	2SD1113	HITACHI/日立	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SD1113(K)	日立	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SD1113D1113	HITACHI	1932+	TO-220	304	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市旺財半導體有限公司	2SD1113(K)		23+	TO	20000	正品原裝貨價格低	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	2SD1113D1113	HITACHI	23+	TO-220	314	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SD1114K	HITACHI/日立	23+	TO-220	5880	原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	2SD1115	ISC/無錫固電	22+	TO-220	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SD1119	TOSHIBA	24+	原廠封裝	7000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	2SD1119	PANASONIC	25+	SOT89	2987	只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經營!歡迎來電	詢價

更多2SD11供應商更新時間2026-1-21 16:01:00

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