| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Dissipation-: PC= 100W@TC= 25℃ ·High Current Capability-: IC= 10A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. 文件：81.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Epitaxial Application ? Low frequency amplifier ? Complementary pair with 2SB831 文件：24.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | ||
Silicon NPN Epitaxial Application ? Low frequency amplifier ? Complementary pair with 2SB831 文件：172.17 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
Silicon NPN Epitaxial Features ● Low Frequency amplifier. 文件：35.8 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | ||
Silicon NPN Epitaxial Application ? Low frequency amplifier ? Complementary pair with 2SB831 文件：172.17 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON 2SD1044 -> Si NPN Diffused junction Mesa Darlington 2SD1091 -> Si NPN Triple Diffused Planar Darlington 2SD1105 -> Si NPN Diffused junction Mesa 文件：258.54 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | PANASONIC 松下 | PANASONIC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min) ·Wide Area of Safe Operation ·High Power and High Reliability APPLICATIONS ·Designed for high power AF amplifier applications. 文件：78.91 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? High Power Dissipation- : PC= 100W@TC= 25℃ ? High Current Capability- : IC = 10A APPLICATIONS ? Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. 文件：224.01 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ? Good Linearity of hFE ? Complement to Type 2SB849 APPLICATIONS ? Designed for audio frequency power amplifier applications. 文件：245.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type 2SB849 ? Wide area of safe operation APPLICATIONS ? For use in low frequency power amplifier applications 文件：116.7 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
INT.Z_DIODE
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
6A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SD971,2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1089,2SD1162,2SD1307,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍數(shù)：
β>500
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
40
技術(shù)參數(shù)
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
7V
- Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
- Maximum Collector Base Voltage：
300V
- Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
- Configuration：
Single
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
日立 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
HITACHI |
1932+ |
TO-220 |
304 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
HITACHI |
23+ |
TO-220 |
314 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
5880 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
ISC/無錫固電 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
24+ |
原廠封裝 |
7000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
PANASONIC |
25+ |
SOT89 |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電 |
詢價 |
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