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首頁 >2SC1815>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC1815-GR	文件：305.12 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2SC1815 Series are silicon NPN transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for general purpose amplifier applications. 文件：305.12 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2SC1815-H	文件：555.25 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hf/marking.html">HF；Package：SOT-23；NPN Transistors Features ● Power dissipation 文件：555.25 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SC1815K	文件：166.38 Kbytes Page：3 Pages	NPN Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES ? Power Dissipation PCM: 0.2 W ( Ta = 25 °C ) ? Collector Current ICM: 0.15 A ? Collector-Base Voltage V(BR)CBO: 60 V 文件：166.38 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1815L	文件：214.19 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY VOLTAGE, LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications ? High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) ? Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：214.19 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC1815-L	文件：555.25 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hfl/marking.html">HFL；Package：SOT-23；NPN Transistors Features ● Power dissipation 文件：555.25 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SC1815L-GR	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications ? High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) ? Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：256.029 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC1815LT1	文件：168.66 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation 文件：168.66 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	TGS	TGS
2SC1815LT1	文件：67.95 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR * Complement to 2SA1015 * Collector Current :Ic=150mA 文件：67.95 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC1815L-Y	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications ? High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) ? Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：279.37 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC1815-O	文件：389.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF Amplifier and General Purpose Applications. ? Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 0.15A ? Collector-base Voltage 60V ? Marking : 文件：389.15 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC

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晶體管資料

型號：
2SC1815
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.15A
最大工作頻率：
>80MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC174,BC182,BC184,BC190,BC384,BC414,BC546,DG458,DG1815,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-39
vtest：
60
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.4

技術(shù)參數(shù)

PCM(W)：
0.4
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
700
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.25
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市樂創(chuàng)天科技有限公司	2SC1815	CJ	2011	SOT23	1003	全新原裝正品現(xiàn)貨	詢價
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深圳市訊順達(dá)科技有限公司	2SC1815	Slkor/薩科微	24+	TO-92	50000	Slkor/薩科微一級代理,價格優(yōu)勢	詢價
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更多2SC1815供應(yīng)商更新時間2026-1-19 16:34:00

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