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首頁 >2SC1815>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC1815	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信號(hào)三極管	MDD 辰達(dá)半導(dǎo)體	MDD
2SC1815	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友順	UTC
2SC1815_07	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ? High voltage and high current: VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) ? Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 ( 文件：602.02 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC1815-BL	文件：305.12 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2SC1815 Series are silicon NPN transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for general purpose amplifier applications. 文件：305.12 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2SC1815-BL	文件：389.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF Amplifier and General Purpose Applications. ? Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 0.15A ? Collector-base Voltage 60V ? Marking : 文件：389.15 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC
2SC1815GR	文件：215.02 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. 文件：215.02 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SC1815GR	文件：168.25 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：168.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SC1815GR	文件：188.02 Kbytes Page：2 Pages	NPN Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES ? Power Dissipation PCM: 0.4 W ( Ta = 25 °C ) ? Collector Current ICM: 0.15 A ? Collector-Base Voltage V(BR)CBO: 60 V 文件：188.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1815GR	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications ? High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) ? Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：212.87 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC1815-GR	文件：389.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF Amplifier and General Purpose Applications. ? Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 0.15A ? Collector-base Voltage 60V ? Marking : 文件：389.15 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC

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晶體管資料

型號(hào)：
2SC1815
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.15A
最大工作頻率：
>80MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BC174,BC182,BC184,BC190,BC384,BC414,BC546,DG458,DG1815,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-39
vtest：
60
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.4

技術(shù)參數(shù)

PCM(W)：
0.4
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
700
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.25
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多2SC1815供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-17 16:00:00

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