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首頁 >2SB138>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1386	文件：490.25 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bhp/marking.html">BHP；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). Excellent DC current gain characteristics. Complementary: 2SD2098. APPLICATIONS Low frequency transistor. 文件：490.25 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SB1386	文件：1.7226 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low collector saturation voltage Execllent current-to-gain characteristics 文件：1.7226 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SB1386	文件：862.72 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Low VCE(sat), excellent DC current gain , complements the 2SD2098. Applications General power amplifier applications. 文件：862.72 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
2SB1386	文件：474.45 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low collector saturation voltage ● Execllent current-to-gain characteristics ● Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：474.45 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	WILLAS 威倫電子	WILLAS
2SB1386	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistors Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC/IB = -4A / -0.1A) ● Excellent DC current gain ● Epitaxial planar type ● PNP silicon transistor 文件：786.02 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SB1386	文件：192.09 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ? Low collector saturation voltage, ? Execllent current-to-gain characteristics 文件：192.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SB1386_V01	文件：1.7226 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low collector saturation voltage Execllent current-to-gain characteristics 文件：1.7226 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SB1386L-P-AB3-B-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386L-P-AB3-C-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386L-P-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC

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晶體管資料

型號(hào)：
2SB1387
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
1.5A
最大工作頻率：
120MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SB1256,
最大耗散功率：
1W
放大倍數(shù)：
β>2000
圖片代號(hào)：
A-12
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
1.5
wtest：
1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1387	HIT	24+		90000		詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SB1387TL	HITACHI	23+	89-92	380000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫存,詳	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	2SB1389	KEC	16+	TO-220	100000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SB1389	HITACHI	TO-220F	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SB1389	HITACHI	25+	TO-TO-220F	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SB1390	HITACHI/日立	20+	TO-220F	38900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SB1390	HITACHI/日立	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	2SB1390	HITACHI/日立	24+	TO-220F	60000		詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SB139040ML	SILAN	25+	CDIP	4100	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	2SB1391		24+	TO-220	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)

更多2SB138供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:30:00

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