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首頁 >2SB1386>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1386	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386	文件：151.05 Kbytes Page：6 Pages	Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon 文件：151.05 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1386	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/t100/marking.html">T100；Package：MPT3；Low Frequency Transistor(-20V,-5A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. 文件：107.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1386	文件：185.79 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bh/marking.html">BH*；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ● Excellent DC current gain characteristics. ● Complementary: 2SD2098. APPLICATIONS ● Low frequency transistor. 文件：185.79 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SB1386	文件：396.36 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Low collector saturation voltage, ● Execllent current-to-gain characteristics 文件：396.36 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HTSEMI 金譽半導體	HTSEMI
2SB1386	文件：1.55454 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low collector saturation voltage ● Execllent current-to-gain characteristics 文件：1.55454 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SB1386	文件：51.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC/IB = -4A / -0.1A) ● Excellent DC current gain ● Epitaxial planar type ● PNP silicon transistor 文件：51.74 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1386	文件：1.95535 Mbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bhp/marking.html">BHP；Package：SOT-89-3L；Low collector saturation voltage FEATURES ● Low collector saturation voltage ● Execllent current-to-gain characteristics 文件：1.95535 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH
2SB1386	文件：112.23 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Low Frequency Transistor FEATURES ● Low VCE(sat) ● Excellent DC current gain characteristics ● Complements the 2SD2098 文件：112.23 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1386	文件：490.25 Kbytes Page：4 Pages	絲印：BHP；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). Excellent DC current gain characteristics. Complementary: 2SD2098. APPLICATIONS Low frequency transistor. 文件：490.25 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ

晶體管資料

型號：
2SB1386
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
120MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SB1302,2SB1308,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
30
htest：
120000000
atest：
5
wtest：
0.75

技術參數(shù)

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
5
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
4
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-89

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	2SB1386	ROHM/羅姆	25+	SOT89	32360	ROHM/羅姆全新特價2SB1386即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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深圳市粵駿騰電子科技有限公司	2SB1386	長電	24+	SOT-89	20000	十年沉淀唯有原裝	詢價
深圳市浩翊科技有限公司	2SB1386	JCET	24+	SOT89	4000	原裝正品	詢價
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深圳市凌旭科技有限公司	2SB1386	ROHM	2016+	SOT-89	3500	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
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深圳市豪邁興電子有限公司	2SB1386	UTC	24+		8858	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價

更多2SB1386供應商更新時間2026-1-20 18:46:00

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