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首頁(yè) >2SB13>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1386-Q-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386-R	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features ? Low Collector Saturation Voltage ? Execllent current-to-gain characteristics ? Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ? Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ? Moisure Sensitivity Level 1 ? Halogen free available upon 文件：376.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MCC	MCC
2SB1386-R	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bhr/marking.html">BHR*；Package：SOT-89；PNP Transistors Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC/IB = -4A / -0.1A) ● Excellent DC current gain ● Epitaxial planar type ● PNP silicon transistor 文件：786.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SB1386-R-AB3-B-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386-R-AB3-C-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386-R-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1386T100Q	文件：135.55 Kbytes Page：4 Pages	Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. 文件：135.55 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1386T100R	文件：135.55 Kbytes Page：4 Pages	Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. 文件：135.55 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1386-X-AB3-F-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1387	文件：368.4 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD1978 Application · Low frequency power amplifier · Complementary pair with 2SD1978 文件：368.4 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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晶體管資料

型號(hào)：
2SB1300
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
140MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1296,2SB893,2SB976,2SB985,2SB1117,2SB1505,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-20
vtest：
20
htest：
140000000
atest：
3
wtest：
0.75

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
16
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.75
Production Status：
EOL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1300	ROHM	24+		30000		詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	2SB1300K	NEC	2447	TO-92	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市富芯樂(lè)電子科技有限公司	2SB1300K	NEC	24+	TO-92	5000	只做原裝正品現(xiàn)貨歡迎來(lái)電查詢15919825718	詢價(jià)
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