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2SB1260L-P-TN3-R	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
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晶體管資料

型號(hào)：
2SB1260
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1364,2SA1416,2SB766A,2SB803,2SB804,2SB1025,2SB1026,BCX53,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-100
vtest：
80
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

Status：
新設(shè)計(jì)非推薦
封裝：
MPT3
包裝數(shù)量：
1000
最小獨(dú)立包裝數(shù)量：
1000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-80.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-1.0
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	2SB1260	CJ	19+	SOT-89	9000		詢價(jià)
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上海鑫科潤電子科技有限公司	2SB1260	ROHM	1216+	SOT	3218	原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢	詢價(jià)

更多2SB1260供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:03:00

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