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2SB1260	文件：131.89 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：131.89 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1260	文件：669.38 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features High breakdown voltage, good hFE linearity, low VCE(sat), complements the 2SD1898. Applications General power amplifier applications. 文件：669.38 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
2SB1260	文件：362.29 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：362.29 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	WILLAS 威倫電子	WILLAS
2SB1260	文件：173.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ? High breakdown voltage and high current. BVCEO=-80V,IC=-1A ? Good hFEVLinearity. ? Low VCE(sat). ? Complements the 2SD1898. 文件：173.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SB1260	文件：66.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.95 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TEL	TEL
2SB1260	文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (−80V, −1A) 文件：97.68 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1260	文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/qr/marking.html">QR；Package：MPT3；Power Transistor (-80V, -1A) 文件：146.69 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??0V, ??A) 文件：92.25 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1260	文件：154.56 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/qr/marking.html">QR；Package：MPT3；Power Transistor 文件：154.56 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1260	文件：1.74143 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-encapsulate PNP Transistors 文件：1.74143 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	LUGUANG 魯光電子	LUGUANG

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晶體管資料

型號：
2SB1260
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1364,2SA1416,2SB766A,2SB803,2SB804,2SB1025,2SB1026,BCX53,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
80
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

Status：
新設(shè)計非推薦
封裝：
MPT3
包裝數(shù)量：
1000
最小獨立包裝數(shù)量：
1000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-80.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-1.0
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	2SB1260	CJ	19+	SOT-89	9000		詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SB1260	SECOS/喜可士	25+	SOT-89	20300	SECOS/喜可士原裝特價2SB1260即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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上海鑫科潤電子科技有限公司	2SB1260	ROHM	1216+	SOT	3218	原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢	詢價

更多2SB1260供應(yīng)商更新時間2026-1-21 16:03:00

晶體管資料

技術(shù)參數(shù)

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