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首頁 >2SB1201>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1201S-E	文件：347.77 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.4V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications 文件：347.77 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SB1201S-TL-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? Large current capacitance and wide ASO ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? Fast switching speed ? Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801- 文件：388.23 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SB1201T-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? Large current capacitance and wide ASO ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? Fast switching speed ? Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801- 文件：388.23 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SB1201T-TL-E	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? Large current capacitance and wide ASO ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? Fast switching speed ? Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801- 文件：388.23 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SB1201_15	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201-R	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201-S	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201-T	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201-U	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201S-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 50V 2A TP-FA	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

晶體管資料

型號(hào)：
2SB1201
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
150MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1241,2SB928,2SB1184,
最大耗散功率：
15W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-80
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
15

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
150
PTM Max (W)：
0.8
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	2SB1201	NK/南科功率	2025+	TO-252	2500	國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1201	SANYO	24+	SOT252	20000		詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	2SB1201	SANYO	18+	TO-251	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	2SB1201	SANYO	1922+	TO252	7823	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SB1201	SANYO/三洋	23+	SOT252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
洪芯國際半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SB1201	SANYO/三洋	26+	原廠原封裝	86720	全新原裝正品價(jià)格最實(shí)惠假一賠百	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	2SB1201	SANYO	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	TO-251	10	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SB1201	TOSHIBA	23+		2800	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
上海磐岳電子有限公司	2SB1201	SANYO	2023+	TO-252	58000	進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣	詢價(jià)
深圳市芯皇電子有限公司	2SB1201	ON	22+	TO-220-3	50000	原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)	詢價(jià)

更多2SB1201供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:01:00

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