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          首頁>2SB1201S-E>規(guī)格書詳情

          2SB1201S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

          PDF無圖
          廠商型號

          2SB1201S-E

          參數(shù)屬性

          2SB1201S-E 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA

          功能描述

          isc Silicon PNP Power Transistor

          封裝外殼

          TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

          文件大小

          347.77 Kbytes

          頁面數(shù)量

          2

          生產(chǎn)廠商

          ISC

          中文名稱

          無錫固電

          網(wǎng)址

          網(wǎng)址

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          更新時間

          2026-1-21 18:51:00

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          2SB1201S-E規(guī)格書詳情

          DESCRIPTION

          ·Low Collector Saturation Voltage-

          : VCE(sat)= -0.4V(Max)@IC= -1A

          ·Good Linearity of hFE

          ·Large Collector Current IC

          ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

          performance and reliable operation

          APPLICATIONS

          ·Designed for power switching applications

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號:

            2SB1201S-E

          • 制造商:

            onsemi

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 晶體管類型:

            PNP

          • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

            700mV @ 50mA,1A

          • 電流 - 集電極截止(最大值):

            100nA(ICBO)

          • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

            140 @ 100mA,2V

          • 頻率 - 躍遷:

            150MHz

          • 工作溫度:

            150°C(TJ)

          • 安裝類型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            TP-FA

          • 描述:

            TRANS PNP 50V 2A TP-FA

          供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
          TO-252
          23+
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          正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
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          24+
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          TO-252
          2800
          原廠原裝,價格優(yōu)勢
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