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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1132	文件：75.61 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：75.61 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1132	文件：546.48 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ? Low VCE(sat) ? Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：546.48 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	WILLAS 威倫電子	WILLAS
2SB1132	文件：64.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.51 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TEL	TEL
2SB1132L-P-AB3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132L-P-AB3-T	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132L-P-TN3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132L-P-TN3-T	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132L-Q-AB3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132L-Q-AB3-T	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132L-Q-TN3-R	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC

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晶體管資料

型號：
2SB1131
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
STROBO_LO_SAT
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
320MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SB873,2SB1288,2SB1306,
最大耗散功率：
1W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
25
htest：
320000000
atest：
5
wtest：
1

詳細參數(shù)

型號：
2SB113
制造商：
SANYO
制造商全稱：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Strobe,High-Current Switching Applications

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	2SB1131	NEC	24+		90000		詢價
深圳市鵬和科技有限公司	2SB1131	UTG	24+	SOT-89	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市旺財半導體有限公司	2SB1131	SANYO	23+	TO-92L	4000	正品原裝貨價格低	詢價
深圳市中遠芯科技有限公司	2SB1131	TOSHIBA/東芝	823	TSSOP20	1557	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	2SB1131T-AE		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
艾睿（深圳）半導體有限公司	2SB1131T	SANYO/三洋	2447	TO-92L	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SB1131T	SANYO/三洋	23+	TO-92L	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SB1131S	SANYO	09+	TO-92L	20000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2SB1131T-AE		24+	N/A	67000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	2SB1131S	SANYO	23+	TO-92L	15000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多2SB113供應商更新時間2026-1-19 16:30:00

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