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首頁 >2SB113>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1130AM	文件：40.05 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Features 1) High breakdwon voltage: BVCEO = -160V. 2) High transition frequency. 3) Small output capacitance. 4) Complementary pair with 2SD1665AM. 文件：40.05 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1131	文件：84.14 Kbytes Page：3 Pages	Strobe,High-Current Switching Applications Applications 1. Strobes, power supplies, relay drivers, lamp drivers. Features 1. Adoption of FBET, MBIT processes. 2. Low saturation voltage. 3. Large current capacity. 4. Fast switching time. 文件：84.14 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1132	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SB1132	文件：348.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors PNP Plastic-Encapsulate Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：348.95 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1132	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：128.6 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (-32V,??1A) Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：179.26 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1132	文件：350.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES ? Low VCE(sat): -0.2V(Typ) IC/IB=-500mA/-50mA ? Compliments 2SD1664 文件：350.94 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體	HTSEMI
2SB1132	文件：352.68 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor Features ● Low VCE(sat) ● Compliments to 2SD1664 文件：352.68 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1132	文件：162.61 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES ? Low power dissipation 0.5W 文件：162.61 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1132	文件：506.45 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bap/marking.html">BAP；Package：SOT-89；PNP General Purpose Amplifier FEATURES Low VCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA). Complementary NPN type available 2SD1664. APPLICATIONS This device is designed as a general purpose amplifier and switching. 文件：506.45 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ

晶體管資料

型號：
2SB1131
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
STROBO_LO_SAT
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
320MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SB873,2SB1288,2SB1306,
最大耗散功率：
1W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
25
htest：
320000000
atest：
5
wtest：
1

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SB113
制造商：
SANYO
制造商全稱：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Strobe,High-Current Switching Applications

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1131	NEC	24+		90000		詢價
深圳市鵬和科技有限公司	2SB1131	UTG	24+	SOT-89	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	2SB1131	SANYO	23+	TO-92L	4000	正品原裝貨價格低	詢價
深圳市中遠(yuǎn)芯科技有限公司	2SB1131	TOSHIBA/東芝	823	TSSOP20	1557	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	2SB1131T-AE		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	2SB1131T	SANYO/三洋	2447	TO-92L	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SB1131T	SANYO/三洋	23+	TO-92L	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SB1131S	SANYO	09+	TO-92L	20000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2SB1131T-AE		24+	N/A	67000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SB1131S	SANYO	23+	TO-92L	15000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多2SB113供應(yīng)商更新時間2026-1-19 16:30:00

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