| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SA812 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V 文件：1.60188 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | |
2SA812 | TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：136.58 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | WINNERJOIN | |
2SA812 | Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Complementary pair with 2SC1623. Applications Audio frequency amplifier application. 文件：626.96 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | FOSHAN 藍(lán)箭電子 | FOSHAN | |
2SA812 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m6/marking.html">M6；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ? Commplementary to 2SC1623. ? High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ? High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS ? Audio frequency, general purpose amplifier. 文件：2.3639 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司 | SKTECHNOLGY | |
2SA812 | Plastic-Encap sulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V 文件：526.31 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | GWSEMI 唯圣電子 | GWSEMI | |
2SA812 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m4/marking.html">M4；Package：SOT-23；PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 V 文件：443.2 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | YFWDIODE 佑風(fēng)微 | YFWDIODE | |
2SA812 | Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V 文件：306.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | HOTTECH 合科泰 | HOTTECH | |
2SA812 | Plastic-Encapsulate Transistors Features: 1. hFE is high, hFE=200(TYP) VCE=-6V, IC=-1mA; 2. High voltage, VCEO=-50V; Applications: For general amplification, it is complementary to 2SC1623. 文件：723.93 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SHENZHENSLS 三聯(lián)盛 | SHENZHENSLS | |
2SA812 | Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：69.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | TEL | TEL | |
2SA812 | PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.70898 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages | JINGHENG 晶恒 | JINGHENG |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
180MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-15
- vtest：
60
- htest：
180000000
- atest：
0.1
- wtest：
0.2
技術(shù)參數(shù)
- VCEO (V)：
-50
- IC @25 °C (A)：
-0.1
- VCE (sat) (V)：
-0.3
- hFE：
90-600
- Pc (W)：
0.2
- fT (Typical) (GHz)：
0.18
- Cob (Typical) (pF)：
4.5
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
4000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||||
25+ |
4000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||||
NEC |
25+ |
SOT-23 |
32000 |
NEC全新特價(jià)2SA812即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
LRC/藍(lán)箭 |
SOT23 |
1000000 |
2012 |
詢價(jià) | |||
NEC |
14+無鉛 |
SOT-23 |
25700 |
優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!! |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
CJ/長電 |
2021+ |
SOT-23 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
長電/長晶 |
23+ |
SOT-23 |
120000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請找坤融電子! |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT23 |
18000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) |
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- PI7C8150B
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- WNS40H100C
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