| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SA812 | AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ? Complementary to 2SC1623 ? High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= ?6.0 V, IC= ?1.0 mA) ) ? High Voltage: VCEO= ?50 V 文件：241.88 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | NEC 瑞薩 | NEC | |
2SA812 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hfe/marking.html">HFE；SILICON TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ? Complementary to 2SC1623 ? High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = ?6.0 V, IC = ?1.0 mA) ? High Voltage: VCEO = ?50 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Collector to Base Voltage VCBO ?60 V Collector to Emitter Voltage VCEO ?50 文件：333.78 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | |
2SA812 | PNP General Purpose Transistors PNP General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：211.78 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | WEITRON | WEITRON | |
2SA812 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m4/marking.html">M4；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Commplementary to 2SC1623. ● High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ● High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS ● Audio frequency, general purpose amplifier. 文件：253.17 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | BILIN 銀河微電 | BILIN | |
2SA812 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency amplifier applications. 文件：228.57 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | DCCOM 道全 | DCCOM | |
2SA812 | PNP General Purpose Transistor ■ FEATURES PNP General Purpose Transistor 文件：221.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | GSME 桂微 | GSME | |
2SA812 | TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Complementary to 2SC1623 ● High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ● High Voltage: Vceo=-50V 文件：382.47 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | HTSEMI 金譽半導(dǎo)體 | HTSEMI | |
2SA812 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ? Complementary to 2SC1623 ? High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ? High Voltage: Vceo=-50V 文件：844.45 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | |
2SA812 | PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 V 文件：123.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | |
2SA812 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m4/m5/m6/m7/marking.html">M4/M5/M6/M7；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Commplementary to 2SC1623. ● High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ● High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS ● Audio frequency, general purpose amplifier. 文件：1.12207 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages | LUGUANG 魯光電子 | LUGUANG |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
180MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-15
- vtest：
60
- htest：
180000000
- atest：
0.1
- wtest：
0.2
技術(shù)參數(shù)
- VCEO (V)：
-50
- IC @25 °C (A)：
-0.1
- VCE (sat) (V)：
-0.3
- hFE：
90-600
- Pc (W)：
0.2
- fT (Typical) (GHz)：
0.18
- Cob (Typical) (pF)：
4.5
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
4000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||||
25+ |
4000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||||
NEC |
25+ |
SOT-23 |
32000 |
NEC全新特價2SA812即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
LRC/藍箭 |
SOT23 |
1000000 |
2012 |
詢價 | |||
NEC |
14+無鉛 |
SOT-23 |
25700 |
優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!! |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
CJ/長電 |
2021+ |
SOT-23 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
詢價 | ||
長電/長晶 |
23+ |
SOT-23 |
120000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原裝進口價格優(yōu) 請找坤融電子! |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT23 |
18000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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