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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA811A	文件：178.59 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD? AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURE ● High DC Current Gain: hFE 500 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) 文件：178.59 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA811A	文件：37.48 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain. 文件：37.48 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA812	文件：123.59 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 V 文件：123.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA812	文件：221.59 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor ■ FEATURES PNP General Purpose Transistor 文件：221.59 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	GSME 桂微	GSME
2SA812	文件：382.47 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Complementary to 2SC1623 ● High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ● High Voltage: Vceo=-50V 文件：382.47 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體	HTSEMI
2SA812	文件：844.45 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ? Complementary to 2SC1623 ? High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ? High Voltage: Vceo=-50V 文件：844.45 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA812	文件：1.12207 Mbytes Page：2 Pages	絲印：M4/M5/M6/M7；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Commplementary to 2SC1623. ● High DC current gain:hFE=200typ. (VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ● High Voltage: VCEO=-50V. APPLICATIONS ● Audio frequency, general purpose amplifier. 文件：1.12207 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	LUGUANG 魯光電子	LUGUANG
2SA812	文件：1.60188 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC1623 High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) High Voltage: Vceo=-50V 文件：1.60188 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SA812	文件：136.58 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：136.58 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA812	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ? Complementary to 2SC1623 ? High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= ?6.0 V, IC= ?1.0 mA) ) ? High Voltage: VCEO= ?50 V 文件：241.88 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC

晶體管資料

型號(hào)：
2SA811A
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_通用型（Uni）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
0.03A
最大工作頻率：
90MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1312,2SA1566,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
120
htest：
90000000
atest：
0.03
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
-120
IC @25 °C (A)：
-0.05
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-900
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.09
Cob (Typical) (pF)：
2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SA811A	RENESAS/瑞薩	20+	SOT-23	120000	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	2SA811A	RENESAS/瑞薩	2025+	SOT-23	5000	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請找坤融電子!	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SA811A	NEC	24+	SOT-23	15000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SA811A	NEC	23+	SOT-23	30000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	2SA811A	NEC	24+		4231	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SA811A	NEC	24+	SOT-23	21200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SA811A	SMD	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	2SA811A	NEC	25+23+	Sot-23	32890	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市萊克訊科技有限公司	2SA811A	NEC	1922+	SOT23	90000	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價(jià)

更多2SA81供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:00:00

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