| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-Voltage Switching Applications ? High breakdown voltage: VCEO= ?400 V 文件：156.99 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
Silicon PNP Triple Diffused Type Features High voltage: VCE= -400 V 文件：54.04 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-Voltage Switching Applications ? High breakdown voltage: VCEO = ?400 V 文件：152.91 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features ? Adoption of FBET, MBIT processes. ? Large current capacitance. ? Low collector-to-emitter saturation voltage. ? High-speed switching. ? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. 文件：44.58 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES ? High fT fT = 8.5 GHz TYP. ? High gain | S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?8 V, IC = ?20 mA ? High-speed switching characterstics ? Equivalent NPN transistor is the 2SC3583. 文件：58.63 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | NEC 瑞薩 | NEC | ||
PNP Epitaxial Silicon Transistor Features ● High fT :fT = 8.5 GHz TYP. ● High gain | S21e |2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = -8 V, IC = -20 mA ● High-speed switching characterstics 文件：36.54 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES ? High fT fT = 8.5 GHz TYP. ? High gain | S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?8 V, IC = ?20 mA ? High-speed switching characterstics ? Equivalent NPN transistor is the NE68133 / 2SC3583. 文件：1.45866 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages | CEL | CEL | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES ? High fT fT = 5.5 GHz TYP. ? | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?10 V, IC = ?15 mA ? High speed switching characteristics ? Equivalent NPN transistor is the NE02133 / 2SC2351. ? Alternative of the 2SA1424. 文件：1.42336 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages | CEL | CEL |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_高速開關(guān) （SS）_超高頻/特高頻
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
>6GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-15
- vtest：
20
- htest：
6000100000
- atest：
0.05
- wtest：
0
技術(shù)參數(shù)
- BVCEO(V)：
-12
- BVCBO(V)：
-20
- IC(A)：
-0.05
- HFE_MIN.：
20
- HFE_MAX.：
210
- HFEtest_IC(mA)：
-20
- HFEtest_VCE(V)：
-8
- VCE(Sat)(V)MAX.：
-0.2
- VCE(Sat)test_IC(mA)：
-25
- VCE(Sat)test_Ib(mA)：
-2.5
- Package：
SOT-23
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原裝進口價格優(yōu) 請找坤融電子! |
詢價 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價 | ||
NEC |
1922+ |
SOT-23 |
9000 |
原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
32700 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
TOS |
23+ |
二極管 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
NEC |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
UTC/友順 |
24+ |
SOT-23 |
50000 |
只做原裝，歡迎詢價，量大價優(yōu) |
詢價 | ||
UTC/友順 |
24+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原裝,一手貨源,全場熱賣! |
詢價 |
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