| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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2SA1978 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES ? High fT fT = 5.5 GHz TYP. ? | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?10 V, IC = ?15 mA ? High speed switching characteristics ? Equivalent NPN transistor is the 2SC2351. ? Alternative of the 2SA1424. 文件：60.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | NEC 瑞薩 | NEC | |
2SA1978 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES ? High fT fT = 5.5 GHz TYP. ? | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?10 V, IC = ?15 mA ? High speed switching characteristics ? Equivalent NPN transistor is the NE02133 / 2SC2351. ? Alternative of the 2SA1424. 文件：1.42336 Mbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages | CEL | CEL | |
2SA1978 | PNP Eitaxial Silicon Transistor Features ● High fT (fT=5.5GHz TYP). ● High gain |S21e|2 =10.0dB TYP.@f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA ● High-speed switching characterstics 文件：36.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | |
2SA1978 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER 文件：193.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | |
2SA1978 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES\n? High fT\n???????? fT = 5.5 GHz TYP.\n? | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?10 V, IC = ?15 mA\n? High speed switching characteristics\n? Equivalent NPN transistor is the 2SC2351.\n? Alternative of the 2SA1424. ? High fT\n???????? fT = 5.5 GHz TYP.\n? | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?10 V, IC = ?15 mA\n? High speed switching characteristics\n? Equivalent NPN transistor is the 2SC2351.\n? Alternative of the 2SA1424.?; | Renesas 瑞薩 | Renesas | |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER 文件：193.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 | CEL | CEL | ||
Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 | CEL | CEL |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_高速開(kāi)關(guān) （SS）_超高頻/特高頻
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
>4GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
20
- htest：
4000100000
- atest：
0.05
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2SA1978
- 制造商：
Renesas Electronics
- 功能描述：
Cut Tape
- 制造商：
Renesas
- 功能描述：
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
RENESAS/瑞薩原裝特價(jià)2SA1978即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子! |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-23 |
13490 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NEC |
1922+ |
SOT-23 |
35689 |
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
電子元器件采購(gòu)降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) |
