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首頁(yè) >2SA17>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1790J	文件：65.319 Kbytes Page：3 Pages	For high-frequency amplification Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification Complementary to 2SC4626J ■ Features ? Optimum for RF amplification of FM/AM radios ? High transition frequency fT ? SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing 文件：65.319 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA1791	文件：35.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planer type For high-frequency amplification Complementary to 2SC4656 ■ Features ● High transition frequency fT. ● Small collector output capacitance Cob. ● SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and t 文件：35.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA1795	文件：376.19 Kbytes Page：8 Pages	Switching Power Transistor(-5A PNP) 文件：376.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SA1796	文件：407.45 Kbytes Page：9 Pages	Switching Power Transistor(-7A PNP) Switching Power Transistor 文件：407.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SA1797	文件：43.35 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR FEATURES * Low Saturation Voltage. VCE(SAT)=-0.35V(Max) at IC / IB=-1A / -50mA * Excellent DC Current Gain Characteristics 文件：43.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	UTC 友順	UTC
2SA1797	文件：99.48 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-50V, -3A) Power Transistor (-50V, -2A) Low Frequency Transistor (50V, 2A) 文件：99.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SA1797	文件：171.34 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ag/marking.html">AG；Package：MPT3；Power Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = ?0.35V (Max.) at IC / IB = ?1A / 50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SC4672. 文件：171.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SA1797	文件：279.62 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ag/marking.html">AG*；Package：SOT-89；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(Max.) (IC/IB=-1A/-0.5A). ● Excellent DC current gain characteristics. ● Complements the 2SA1797 and 2SC4672. ● MSL 3 APPLICATIONS ● Low frequency transistor. 文件：279.62 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SA1797	文件：2.88728 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low saturation voltage ● Excellent DC current gain characteristics ● Complements to 2SC4672 文件：2.88728 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長(zhǎng)電科技	JIANGSU
2SA1797	文件：496.21 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES ? High transition frequency ? High power dissipation 文件：496.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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晶體管資料

型號(hào)：
2SA1741
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1441,2SA1469,2SB595,2SB945,2SB1292,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-5
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
130

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	2SA1741	RENESAS		TO220F	30000000	原裝進(jìn)口中國(guó)百?gòu)?qiáng)元器件分銷企業(yè) 專注RENESAS十年公司大量RENESAS現(xiàn)貨歡迎您的咨詢百年不變服務(wù)至上	詢價(jià)
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更多2SA17供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:15:00

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