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首頁 >2SA141>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1419	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage and large current capacity ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SA1419	文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage and large current capacity ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：127.81 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1419	文件：511.77 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications Features ● Adoption of FBET, MBIT Processes ● High Breakdown Voltage and Large Current Capacity ● Complementary to 2SC3649 文件：511.77 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1419S-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage and large current capacity ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SA1419S-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage and large current capacity ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SA1419T-TD-E	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage and large current capacity ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SA1419T-TD-H	文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage and large current capacity ? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s 文件：354.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SA1411_15	文件：598.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistors 文件：598.58 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1411-M15	文件：598.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistors 文件：598.58 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1411-M16	文件：598.58 Kbytes Page：1 Pages	PNP Transistors 文件：598.58 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN

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晶體管資料

型號：
2SA1412
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
400V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
40MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1773,2SA1498,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-80
vtest：
400
htest：
40000000
atest：
2
wtest：
10

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
-400
VCEO (V)：
-400
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-2
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
40-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.04
Cob (Typical) (pF)：
30

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市豪邁興電子有限公司	2SA1412	NEC	24+		8858	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SA1412		24+	SOT223	2500		詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SA1412	ROHM	24+	SOT252	956	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SA1412	NEC	25+	TO-251	5000	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SA1412	NEC	20+	TO-251	38900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
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深圳市科雨電子有限公司	2SA1412	NEC	25+	TO-252-2	3895	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SA1412	NEC	22+	TO-252-2	6000	十年配單,只做原裝	詢價

更多2SA141供應(yīng)商更新時間2026-1-19 18:21:00

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