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首頁 >2SA141>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1411	文件：232.41 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：232.41 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SA1411	文件：27.49 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFER, SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：27.49 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2SA1411	文件：38.1 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxia Silicon PNP Epitaxia Features Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBOVoltage:VEBO=-10V 文件：38.1 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1412	文件：233.18 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1412-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage: VCEO= ?400 V ? High Speed: tf ≤0.7 μs ? Complement to 2SC3631-Z 文件：233.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA1412-Z	文件：233.18 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1412-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage: VCEO= ?400 V ? High Speed: tf ≤0.7 μs ? Complement to 2SC3631-Z 文件：233.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA1412-Z	文件：41.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Transistor Features High Voltage: VCEO=-400V High speed : tr ≤ 0.7μs 文件：41.41 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1412-Z	文件：262.5 Kbytes Page：2 Pages	絲印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? With TO-252(DPAK) packaging ? Excellent linearity of hFE ? Low collector-to-emitter saturation voltage ? Fast switching speed ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? Relay drivers ? High-speed inverters ? Conver 文件：262.5 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1413	文件：271.7 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1413-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage: VCEO = ?600 V ? High Speed: tf ≤ 1.0 μs ? Complement to 2SC3632-Z 文件：271.7 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA1413-Z	文件：271.7 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3??? DESCRIPTION The 2SA1413-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage: VCEO = ?600 V ? High Speed: tf ≤ 1.0 μs ? Complement to 2SC3632-Z 文件：271.7 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA1413-Z	文件：373.8 Kbytes Page：2 Pages	絲印：DPAK；Package：TO-252；isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? With TO-252(DPAK) packaging ? Large collector current ? Low collector saturation voltage ? High power dissipation ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? Designed for use in DC-DC converter ? Driver of solenoid o 文件：373.8 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

晶體管資料

型號(hào)：
2SA1412
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
400V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
40MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1773,2SA1498,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-80
vtest：
400
htest：
40000000
atest：
2
wtest：
10

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
-400
VCEO (V)：
-400
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-2
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
40-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.04
Cob (Typical) (pF)：
30

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市豪邁興電子有限公司	2SA1412	NEC	24+		8858	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢價(jià)
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更多2SA141供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 18:21:00

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