| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SILICON NPN/PNP POWER TRANSISTOR 文件：123.99 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SILICON NPN/PNP POWER TRANSISTOR 文件：123.99 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. 文件：25.37 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體 | FAIRCHILD | ||
Darlington Transistors(NPN Silicon) Darlington Transistors NPN Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available** ? Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code 文件：153.51 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
NPN Darlington transistor DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. FEATURES ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 30 V) ? High DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS ? General purpose ? High gain amplification. 文件：49.12 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | PHI PHI | PHI | ||
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON TRANSISTOR ? Collector-Emitter Voltage: VCEO = 40V ? Collector Dissipation: PC(max) = 625mW 文件：67.95 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG | ||
Darlington Transistors(NPN Silicon) Darlington Transistors NPN Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available** ? Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code 文件：153.51 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. 文件：93.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體 | FAIRCHILD | ||
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
文件：34.74 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
β>20000
- 圖片代號：
A-31
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6426
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 500μA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
18798 |
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25+23+ |
TO92 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-92 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
