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NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：216.64 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體 | FAIRCHILD | ||
絲印：5551；Package：TO-923L；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers. 文件：323.78 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES ? High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=180V, VCEO=160V ? Low Leakage Current. : ICBO=50nA(Max.), VCB=120V ? Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.2V(Max.), IC=50mA, IB=5mA ? Low Noise : NF=8dB (Max.) 文件：164.94 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | KEC KEC(Korea Electronics) | KEC | ||
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High collector-emitter voltage: VCEO=160V * High current gain APPLICATIONS * Telephone switching circuit * Amplifier 文件：53.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High collector-emitter voltage: VCEO=160V * High current gain APPLICATIONS * Telephone switching circuit * Amplifier 文件：53.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High collector-emitter voltage: VCEO=160V * High current gain APPLICATIONS * Telephone switching circuit * Amplifier 文件：53.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
NPN Silicon Transistor Descriptions ? General purpose amplifier ? High voltage application Features ? High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V ? Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) 文件：252.17 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | AUK | AUK | ||
HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A FEATURES ? SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR ? HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE) ? CECC SCREENING OPTIONS APPLICATIONS: Hermetically sealed surface mount 2N5551 for high reliability / space applications requiring small size and low weight devices. 文件：40.33 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High collector-emitter voltage: VCEO=160V * High current gain APPLICATIONS * Telephone switching circuit * Amplifier 文件：53.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High collector-emitter voltage: VCEO=160V * High current gain APPLICATIONS * Telephone switching circuit * Amplifier 文件：53.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.8A
- 最大工作頻率：
>250MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BFX94A,BFX95A,BSW63,BSW64,BSW84,BSW85,2N2220A,2N2221A,2N2222A,3DK102B,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍數(shù)：
β>100
- 圖片代號：
D-8
- vtest：
60
- htest：
250000100
- atest：
0.8
- wtest：
0.5
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5582
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-206AB，TO-46-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-46-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
CAN |
7000 |
詢價 | ||||
MOT |
24+ |
CAN3 |
4231 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
38500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
24+ |
CAN |
200 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | |||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
CAN |
1696 |
專營鐵帽CANCDIP |
詢價 | |||
2000 |
100 |
詢價 | |||||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
MOT |
25+ |
TO-46 |
50 |
普通 |
詢價 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物 |
詢價 |
