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2N5401BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO-92	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2N5401C	文件：160.5 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES ? High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=-160V, VCEO=-150V ? Low Leakage Current. : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V ? Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA ? Low Noise : NF=8dB (Max.) 文件：160.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
2N5401C	文件：30.46 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 PACKAGE 文件：30.46 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
2N5401CSM	文件：15.7 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 文件：15.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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更多2N5401BU供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 17:00:00