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    2N5210TA

    Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝:剪切帶(CT)帶盒(TB) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    2N5210TAR

    Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    2N5210

    NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS

    文件:146.9 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    MICRO-ELECTRONICS

    2N5210

    NPN General Purpose Amplifier

    NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1μA to 50 mA.

    文件:77.49 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導(dǎo)體

    2N5210

    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

    文件:33.94 Kbytes 頁數(shù):1 Pages

    SAMSUNG

    三星

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      2N5210TA

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 包裝:

      剪切帶(CT)帶盒(TB)

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

      700mV @ 1mA,10mA

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      50nA(ICBO)

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      200 @ 100μA,5V

    • 頻率 - 躍遷:

      30MHz

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-92-3

    • 描述:

      TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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    只做原裝正品
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    FSC/ON
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    原包裝原封 □□
    2000
    原裝進口特價供應(yīng) 特價,原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
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    更多2N5210TA供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 23:00:00

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