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          首頁 >2N3637>規(guī)格書列表

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          2N3637_08

          PNP SILICON TRANSISTOR

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          SEME-LAB

          2N3637CSM

          PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

          文件:27.08 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

          SEME-LAB

          2N3637CSM

          PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

          文件:15.88 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

          SEME-LAB

          2N3637CSM_08

          PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

          文件:27.08 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

          SEME-LAB

          2N3637DCSM

          DUAL PNP SILICON TRANSISTORS

          文件:41 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

          SEME-LAB

          2N3637L

          RADIATION HARDENED

          文件:233.24 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          MICROSEMI

          美高森美

          2N3637L

          PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

          文件:174.68 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          MICROSEMI

          美高森美

          2N3637UB

          PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

          文件:174.68 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          MICROSEMI

          美高森美

          2N3637UB

          RADIATION HARDENED

          文件:233.24 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          MICROSEMI

          美高森美

          2N3637UB

          Package:3-SMD,無引線;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 175V 1A UB

          MICROCHIP

          微芯科技

          晶體管資料

          • 型號:

            2N3637(S)

          • 別名:

            三極管、晶體管、晶體三極管

          • 生產(chǎn)廠家:

          • 制作材料:

            Si-PNP

          • 性質(zhì):

            低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

          • 封裝形式:

            直插封裝

          • 極限工作電壓:

            175V

          • 最大電流允許值:

            1A

          • 最大工作頻率:

            >150MHZ

          • 引腳數(shù):

            3

          • 可代換的型號:

            BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

          • 最大耗散功率:

            1W

          • 放大倍數(shù):

            β>100

          • 圖片代號:

            C-40

          • vtest:

            175

          • htest:

            150000100

          • atest:

            1

          • wtest:

            1

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號:

            2N3637

          • 制造商:

            Microchip Technology

          • 類別:

            分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

          • 包裝:

            散裝

          • 描述:

            NPN POWER SILICON TRANSISTORS

          供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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          更多2N3637供應商 更新時間2026-1-20 20:45:00
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