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        1. <del id="5lvfi"></del>
          

          
  
          
  
          
    
  
          
  
          
    
    
    
    
          
  
          

          

          
    
          
    
            
          
                
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          2N3637
          PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
          
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/357
          文件：57.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          MICROSEMI
          美高森美
          

          2N3637
          Low Power Transistors
          
Low Power Transistors
PNP Silicon
Features
? MIL?PRF?19500/357 Qualified
? Available as JAN, JANTX, JANTXV and JANHC
          文件：81.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          ONSEMI
          安森美半導(dǎo)體
          

          2N3637
          GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON)
          
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
PNP SILICON
          文件：219.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          BOCA
          博卡
          

          2N3637
          PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
          
PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
2N3635 and 2N3637 Are PNP Silicon Transistros For High Voltage Switching and Low Power Amplifier.
          文件：252.72 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages
          CDIL
          

          2N3637
          PNP SILICON TRANSISTOR
          
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3637 is a PNP Silicon Transistor, mounted in a hermetically sealed TO-39 package, designed for general purpose amplifier and high voltage switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
          文件：502.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          CENTRAL
          

          2N3637
          Transistor
          
Description:
The 2N3637 PNP silicon epitaxial planer transistors in a TO-39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.

Description
Transistor, Bipolar, Metal, TO-39, PNP
          文件：204.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          MULTICOMP
          易絡(luò)盟
          

          2N3637
          SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
          
SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
The 2N3636 and 2N3637 are PNP transistors mounted in TO-39 metal case.
They are intended for high voltage switching and Low Power Amplifier.
Compliance to RoHS
          文件：77.97 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
          COMSET
          

          2N3637
          SI PNP POWER BJT
          
Metal-Can High-Voltage/High-Current Transistors
          文件：94.17 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
          新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司
          

          2N3637
          PNP Transistor Bare Die
          
Features:
? High Breakdown Voltage
? Low VCE(sat)
? Characterized at temperature extremes
? High Reliability Gold Back Metal
? High Reliability tested grades for Military + Space
          文件：301.79 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
          SS
          

          2N3637
          SILICON PNP TRANSISTOR
          
FEATURES
? High Voltage Switching
? Low Power Amplifier Applications
? Hermetic TO39 Package
APPLICATIONS:
? General Purpose
? High Speed Saturated Switching
          文件：115.88 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
          TTELEC
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          晶體管資料
          
            
          
            
            
				
          • 型號：
            2N3637(S)

          • 別名：
            三極管、晶體管、晶體三極管
          • 生產(chǎn)廠家：
          • 制作材料：
            Si-PNP
          • 性質(zhì)：
            低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）
          • 封裝形式：
            直插封裝
          • 極限工作電壓：
            175V
          • 最大電流允許值：
            1A
          • 最大工作頻率：
            >150MHZ
          • 引腳數(shù)：
            3
          • 可代換的型號：
            BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,
          • 最大耗散功率：
            1W
          • 放大倍數(shù)：
            β>100
          • 圖片代號：
            C-40
          • vtest：
            175
          • htest：
            150000100
          • atest：
            1
          • wtest：
            1
          
            
          
        
          
		
        
          
            
          
                
          產(chǎn)品屬性
          
            
          
            
            
            	
          • 產(chǎn)品編號：
            2N3637
          • 制造商：
            Microchip Technology
          • 類別：
            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
          • 包裝：
            散裝
          • 描述：
            NPN POWER SILICON TRANSISTORS
          
            
          
        
          
            
          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



          MICROCHIP/微芯
          		

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          SMD
          		

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          23+
          		

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                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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