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首頁(yè) >2N2906>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N2906AUB	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2906AUB	文件：235.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Transistor Description Semicoa Semiconductors offers: ? Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E ? JAN level (2N2906AUBJ) ? JANTX level (2N2906AUBJX) ? JANTXV level (2N2906AUBJV) ? JANS level (2N2906AUBJS) ? QCI to the applicable level ? 100 die visual inspection per MIL-STD-750 method 2 文件：235.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2906E	文件：51.3 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES ? Low Leakage Current : ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V, VEB=-3V. ? Excellent DC Current Gain Linearity. ? Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. ? Low Collector Output Capacita 文件：51.3 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
2N2906U	文件：54.34 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES ● Low Leakage Current : ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V, VEB=-3V. ● Excellent DC Current Gain Linearity. ● Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. ● Low Collector 文件：54.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
2N2906_12	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 文件：531.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2906_15	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 文件：531.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2906A	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 文件：531.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2906A	文件：212.47 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Transistor 文件：212.47 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2906A	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2906A	文件：531.8 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 文件：531.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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晶體管資料

型號(hào)：
2N2906
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.6A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BC528,BC638,BSW24,BSV47,BSV48,2N3485,3DK9D,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍數(shù)：
β=120
圖片代號(hào)：
D-8
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.4

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N2906
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
管件
晶體管類(lèi)型：
PNP
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-206AA，TO-18-3 金屬罐
供應(yīng)商器件封裝：
TO-18
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO18

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N2906	onsemi	25+	TO-18	7786	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢(xún)價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2N2906	PHS	24+	原廠封裝	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	2N2906	ON	24+	CAN3	4231	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2N2906	PH	23+	QFP	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2N2906	MOTOROLA	24+/25+		92	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N2906	CGO	24+		1		詢(xún)價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2N2906	N/A	23+	NA	15659	振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	2N2906	TI	專(zhuān)業(yè)鐵帽	CAN10	10000	原裝鐵帽專(zhuān)營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2N2906	MOTOROLA/摩托羅拉	專(zhuān)業(yè)鐵帽	CAN3	67500	鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	2N2906	ON	24+	CAN3	6540	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)

更多2N2906供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 13:41:00

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