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        1. <del id="5lvfi"></del>
          

          
  
          
  
          
    
  
          
  
          
    
    
    
    
          
  
          

          

          
    
          
    
            
          
                
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          2N2369A
          NPN SILICON TRANSISTOR
          
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/317
          文件：54.17 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          MICROSEMI
          美高森美
          

          2N2369A
          NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
          
APPLICATIONS
   2N2369/A are NPN Silicon High Speed Saturated Switching, Transistors With
   Low Power & High Speed Switching Applications.
          文件：44.98 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          BOCA
          博卡
          

          2N2369A
          NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
          
APPLICATIONS
   2N2369/A are NPN Silicon High Speed Saturated Switching, Transistors With
   Low Power & High Speed Switching Applications.
          文件：219.34 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
          CDIL
          

          2N2369A
          Small Signal Transistors
          
Small Signal Transistors
TO-18 Case (Continued)


          文件：33.79 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          CENTRAL
          

          2N2369A
          NPN SILICON TRANSISTOR
          
Small Signal Transistors
TO-18 Case (Continued)


          文件：530.49 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          CENTRAL
          

          2N2369A
          Chip Type 2C2369A Geometry 0005 Polarity NPN
          
Chip type 2C2369A by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices.
Features:
?  High speed switching capabilities
APPLICATIONS: Designed for high speed switching applications.
          文件：30.43 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          SEMICOA
          

          2N2369A
          20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A
          
SWITCHING TRANSISTORS
NPN SILICON
          文件：126.62 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
          新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司
          

          2N2369A
          20 STERN AVE
          
SWITCHING TRANSISTORS
NPN SILICON
          文件：93.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
          新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司
          

          2N2369A
          HIGH-SPEED SATURATED SWITCH
          
DESCRIPTION
The 2N2369A is a silicon planar epitaxial NPN transistorin JedecTO-18 metal case. It is designed specifically for high-speed saturated switching applications at current levels from 100 μA to 100 mA.
   
          文件：95.34 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          STMICROELECTRONICS
          意法半導(dǎo)體
          

          2N2369A
          NPN SWITCHING TRANSISTOR
          
FEATURES
? SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
? HERMETIC TO18 PACKAGE
? CECC SCREENING OPTIONS
          文件：233.57 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
          TTELEC
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          晶體管資料
          
            
          
            
            
				
          • 型號：
            2N2369(A)

          • 別名：
            三極管、晶體管、晶體三極管
          • 生產(chǎn)廠家：
          • 制作材料：
            Si-NPN
          • 性質(zhì)：
            高速開關(guān) （SS）
          • 封裝形式：
            直插封裝
          • 極限工作電壓：
            40V
          • 最大電流允許值：
            0.2A
          • 最大工作頻率：
            <1MHZ或未知
          • 引腳數(shù)：
            3
          • 可代換的型號：
            BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N3227,2N3261,2SC2901,3DG84B,
          • 最大耗散功率：
            0.36W
          • 放大倍數(shù)：
            β>40
          • 圖片代號：
            D-8
          • vtest：
            40
          • htest：
            999900
          • atest：
            0.2
          • wtest：
            0.36
          
            
          
        
          
		
        
          
            
          
                
          產(chǎn)品屬性
          
            
          
            
            
            	
          • 產(chǎn)品編號：
            2N2369
          • 制造商：
            Microchip Technology
          • 類別：
            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
          • 包裝：
            托盤
          • 晶體管類型：
            NPN
          • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
            15V
          • 功率 - 最大值：
            680mW
          • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
            40 @ 10mA，1V
          • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
            200mA
          • 工作溫度：
            -65°C ~ 200°C（TJ）
          • 安裝類型：
            通孔
          • 封裝/外殼：
            TO-206AA，TO-18-3 金屬罐
          • 供應(yīng)商器件封裝：
            TO-18（TO-206AA）
          • 描述：
            SMALL-SIGNAL BJT
          
            
          
        
          
            
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          TO18
          		

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          25+
          		

          LD
          		

          1985
          		

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                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  

                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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