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首頁(yè) >2N2369>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N2369	文件：219.34 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS APPLICATIONS 2N2369/A are NPN Silicon High Speed Saturated Switching, Transistors With Low Power & High Speed Switching Applications. 文件：219.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	CDIL	CDIL
2N2369	文件：291.8 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors Switching Transistors NPN Silicon 文件：291.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
2N2369	文件：52.19 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistor DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. FEATURES ? Low current (max. 200 mA) ? Low voltage (max. 15 V). APPLICATIONS ? High-speed switching ? VHF amplification. 文件：52.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
2N2369	文件：44.98 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS APPLICATIONS 2N2369/A are NPN Silicon High Speed Saturated Switching, Transistors With Low Power & High Speed Switching Applications. 文件：44.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N2369	文件：93.58 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE SWITCHING TRANSISTORS NPN SILICON 文件：93.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N2369	文件：44.04 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-FREQUENCY SATURATED SWITCH DESCRIPTION The 2N2369 is a silicon planar epitaxial NPN transistorin JedecTO-18 metal case. It is designed specifically for high-speed saturated switching applications at current levels from 100 μA to 100 mA. 文件：44.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
2N2369	文件：14.59 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package. 文件：14.59 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2369	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN MED PWR HS TRANSISTOR	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2N2369	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AA，TO-18-3 金屬罐；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：SMALL-SIGNAL BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N2369	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AA，TO-18-3 金屬罐；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 15V 0.2A TO18	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

晶體管資料

型號(hào)：
2N2369(A)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
高速開關(guān) （SS）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
0.2A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N3227,2N3261,2SC2901,3DG84B,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍數(shù)：
β>40
圖片代號(hào)：
D-8
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.36

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N2369
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
功率 - 最大值：
680mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，1V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-206AA，TO-18-3 金屬罐
供應(yīng)商器件封裝：
TO-18（TO-206AA）
描述：
SMALL-SIGNAL BJT

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