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          2DB1182Q-13

          32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252

          Features ? BVCEO > -32V ? IC = -2A High Continuous Collector Current ? ICM = -3A Peak Pulse Current ? Epitaxial Planar Die Construction ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage ? Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant

          文件:113.56 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          DIODES

          美臺(tái)半導(dǎo)體

          2DB1182Q-13

          Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 32V 2A TO252-3

          DIODES

          美臺(tái)半導(dǎo)體

          2DGL3*20KV0.05A

          硅堆

          DY

          2DI75D-050A

          模塊

          2DL1A50KV

          硅堆

          DY

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號(hào):

            2DB1182Q-13

          • 制造商:

            Diodes Incorporated

          • 類(lèi)別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 晶體管類(lèi)型:

            PNP

          • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

            800mV @ 200mA,2A

          • 電流 - 集電極截止(最大值):

            1μA(ICBO)

          • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

            120 @ 500mA,3V

          • 頻率 - 躍遷:

            110MHz

          • 工作溫度:

            -55°C ~ 150°C(TJ)

          • 安裝類(lèi)型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            TO-252-3

          • 描述:

            TRANS PNP 32V 2A TO252-3

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
          DIODES/美臺(tái)
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          更多2DB1182Q-13供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-20 14:00:00
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