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          2DB1386Q-13

          PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

          Features ? BVCEO > -20V ? IC = -5A High Continuous Current ? Low Saturation Voltage VCE(sat)

          文件:230.47 Kbytes 頁數(shù):4 Pages

          DIODES

          美臺半導(dǎo)體

          2DB1386Q-13

          20V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

          文件:267.13 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

          DIODES

          美臺半導(dǎo)體

          2DB1386Q-13

          PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

          文件:158.79 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

          DIODES

          美臺半導(dǎo)體

          2DB1386Q-13

          Package:TO-243AA;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 20V 5A SOT89-3

          DIODES

          美臺半導(dǎo)體

          2DB1386Q-13R

          20V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

          文件:267.13 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

          DIODES

          美臺半導(dǎo)體

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號:

            2DB1386Q-13

          • 制造商:

            Diodes Incorporated

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

          • 包裝:

            卷帶(TR)

          • 晶體管類型:

            PNP

          • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

            1V @ 100mA,4A

          • 電流 - 集電極截止(最大值):

            500nA(ICBO)

          • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

            120 @ 500mA,2V

          • 頻率 - 躍遷:

            100MHz

          • 工作溫度:

            -55°C ~ 150°C(TJ)

          • 安裝類型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-243AA

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            SOT-89-3

          • 描述:

            TRANS PNP 20V 5A SOT89-3

          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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