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IMYH200R024M1H	文件：1.85569 Mbytes Page：16 Pages	絲印：20M1H024；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET Features ? VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C ? IDCC = 89 A at Tc = 25°C ? RDS(on) = 24 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C ? Very low switching losses ? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V ? Robust body diode for hard commutation ? .XT interconnection technology for best-in-class thermal p 文件：1.85569 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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