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首頁(yè) >絲印反查>10P6F6

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
STD10P6F6_V01	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	絲?。?strong>10P6F6；Package：DPAK；P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET? F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features ? Very low on-resistance ? Very low gate charge ? High avalanche ruggedness ? Low gate drive power loss Applications ? Switching applications Description These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. 文件：1.20288 Mbytes 頁(yè)數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STF10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	絲?。?strong>10P6F6；Package：TO-220FP；P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET? F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features ? Very low on-resistance ? Very low gate charge ? High avalanche ruggedness ? Low gate drive power loss Applications ? Switching applications Description These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. 文件：1.20288 Mbytes 頁(yè)數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	絲?。?strong>10P6F6；Package：TO-220；P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET? F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features ? Very low on-resistance ? Very low gate charge ? High avalanche ruggedness ? Low gate drive power loss Applications ? Switching applications Description These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. 文件：1.20288 Mbytes 頁(yè)數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
STU10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	絲?。?strong>10P6F6；Package：IPAK；P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET? F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Features ? Very low on-resistance ? Very low gate charge ? High avalanche ruggedness ? Low gate drive power loss Applications ? Switching applications Description These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. 文件：1.20288 Mbytes 頁(yè)數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
10P6F6
功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	STP10P6F6	原裝	25+	TO-220	20300	原裝特價(jià)STP10P6F6即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
深圳市昂芯微科技有限公司	STP10P6F6	ST	23+	TO220	6996	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	STP10P6F6	ST	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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更多10P6F6供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 17:05:00

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