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RM100N60LD	文件：384.16 Kbytes Page：7 Pages	絲印：100N06；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM100N60LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =65V,ID =100A RDS(ON) 文件：384.16 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RECTRON 麗正國際	RECTRON
PJD100N06SA-AU	文件：491.51 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/100n06sa/marking.html">100N06SA；Package：TO-252AA；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ? RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：491.51 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP100N06SA-AU	文件：459.29 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/100n06sa/marking.html">100N06SA；Package：TO-220AB-L；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ? RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：459.29 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

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更多100N06供應商更新時間2026-1-18 14:01:00