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首頁 >絲印反查>09N03LA

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IPB09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?strong>09N03LA；Package：P-TO263-3-2；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? N-channel - Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior the 文件：347.27 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
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IPP09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?strong>09N03LA；Package：P-TO220-3-1；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA ? Ideal for high-frequency dc/dc converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? N-channel - Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior the 文件：347.27 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
09N03LA	文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.73664 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
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09N03LA_V01	文件：1.77236 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.77236 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

詳細參數(shù)

型號：
09N03LA
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	IPI09N03LA	INFINEON	24+	I2PAK(TO-262)	8866		詢價
深圳市華來深電子有限公司	IPI09N03LA	INFINEON	23+	TO-262	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IPI09N03LA	INFINEON	25+	TO262-3	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IPI09N03LA	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
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深圳市安富世紀電子有限公司	IPI09N03LA	INFINEON	23+	TO262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導體(深圳)有限公司	IPI09N03LA	INFINEON	25+	TO-262	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IPI09N03LA	Infineon Technologies	22+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
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更多09N03LA供應(yīng)商更新時間2026-1-18 16:30:00

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