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FDP045N10A	文件：1.73694 Mbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>045N10A；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET ? Fast switching speed ? Low gate charge, QG=54 nC (typical) ? High performance channel technology can achieve very low RDS(on). ? High power and high current handling capacity ? Meet RoHS standards ?VDS=100V ?ID(at VGS=10V)=100A ?RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：1.73694 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
045N10A	文件：1.73694 Mbytes Page：7 Pages	100 V N-Channel MOSFET ? Fast switching speed ? Low gate charge, QG=54 nC (typical) ? High performance channel technology can achieve very low RDS(on). ? High power and high current handling capacity ? Meet RoHS standards ?VDS=100V ?ID(at VGS=10V)=100A ?RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：1.73694 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
045N10A
功能描述：
MSOFET N-CH 100V TO-220-3
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
PowerTrench®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多045N10A供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:14:00

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