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    WPM2006

    Power MOSFET and Schottky Diode

    文件:920.76 Kbytes 頁數(shù):8 Pages

    WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

    韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

    WPM2006

    MOSFET/場效應(yīng)管

    Yenji

    元基電子

    WPM2006

    場效應(yīng)晶體管

    OmniVision

    豪威集團

    WPM2006-6/TR

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/jyww/marking.html">JYWW;Package:DFN2x2-6L;Power MOSFET and Schottky Diode

    文件:920.76 Kbytes 頁數(shù):8 Pages

    WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

    韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

    WPM2006-6SLASHTR

    絲印:JYWW;Package:DFN2x2-6L;Power MOSFET and Schottky Diode

    文件:920.76 Kbytes 頁數(shù):8 Pages

    WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

    韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

    技術(shù)參數(shù)

    • Package:

      DFN2x2-6L

    • Size(W×L×H)(mm)(Max.):

      2.076*2.076*0.8

    • Configuration:

      P+Diode

    • VDS(V) (Max.):

      -20

    • VGS(V) (Max.):

      8

    • VGS(th)(V)(Typ.):

      -0.60

    • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.):

      90.0

    • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.):

      120.0

    • RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Typ.):

      110.0

    • RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Max.):

      150.0

    • ID@TA = 25°C(A) (Max.):

      -3.00

    • RJA(℃/W)(Max):

      86.0

    • PD@TA= 25℃(W) (Max):

      1.45

    • Ciss(pF) (Typ):

      480.00

    • Coss(pF) (Typ):

      46.00

    • Crss(pF) (Typ):

      10.00

    • Qg(TOT)(nC)(Typ.):

      7.20

    • Qgd(nC)(Typ):

      1.20

    • Td(on)(ns)(Typ):

      38.00

    • Td(off)(ns)(Typ):

      43.00

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多WPM2006供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 14:14:00

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